功能描述：MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

制造商：global power technologies group

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：停产

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.2A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.1 欧姆 @ 2.1A， 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：14nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：658pF @ 25V

功率 - 最大值：98.4W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-Pak

标准包装：1

GP2M005A060FG

GP2M005A060HG

GP2M005A060PGH

GP2M007A080F

GP2M008A060CG

GP2M008A060FG

GP2M008A060FGH

GP2M008A060PGH

GP2M009A090FG

GP2M009A090NG